Главная > Физика > Основы анализа поверхности и тонких пленок
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

11.6. Количественный анализ

Определение абсолютной концентрации элемента в матрице по выходу оже-электроиов затруднено влиянием матрицы на обратно рассеянные электроны и глубину выхода. Рассмотрим для простоты выход оже-электронов KLL, образуемых в тонком слое толщиной на глубине t образца:

(11.20)

где — число атомов сорта в единице объема; — сечение ионизации на глубине — выход флюоресценции; — глубина выхода; в — угол регистрации; Т — коэффициент пропускания анализатора; — телесный угол регистрации; — поток возбуждающих электронов на глубине Плотность возбуждающего потока удобно разделить на две компоненты:

где — поток первичных электронов на глубине — поток обратно рассеянных первичных электронов; — коэффициент обратного рассеяния (разд. 10.7).

Если используются внешние стандарты с известной концентрацией элемента в стандартном образце, концентрация в исследуемом образце может быть найдена по отношению оже-выходов:

В рамках этого подхода не требуется знание сечения ионизации флюоресцентного выхода, поскольку измеряются оже-выходы из того же атома. Кроме того, если по составу стандартный образец близок к исследуемому образцу, элементный состав может быть определен непосредственно по отношению выходов оже-электронов при условии, что измерения выполнены в идентичных экспериментальных условиях. Если стандартный образец по составу существенно отличается от исследуемого образца, должно быть учтено влияние матрицы на обратное рассеяние электронов и глубину выхода.

Элементые чувствительности определяются с использованием чистых образцов рассматриваемого элемента и применяются для идентификации его в многоэлементных матрицах. Параметры, которые включают неупругую длину среднего свободного пробега и сильно зависят от матрицы, необходимо корректировать.

Даже с поправками на глубину выхода и обратное рассеяние измеренный состав поверхности нельзя соотносить с внутриобъемным составом образца из-за последствий ионной бомбардировки, используемой при распылении для чистки образца и определения профиля по глубине (см. гл. 4).

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление