Главная > Физика > Основы анализа поверхности и тонких пленок
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Глава 5. КАНАЛИРОВАНИЕ

5.1. Введение

Расположение атомов в твердом теле определяет свойства вещества, а в монокристалле — величину взаимодействия налетающего иона с атомами мишени. Влияние кристаллической решетки на траектории ионов, проникающих в кристалл, известно как каналирование — термин, позволяющий наглядно представить атомные ряды и плоскости ориентирами, которые направляют движущиеся ионы вдоль «каналов» между цепочками и плоскостями. Это направляющее действие весьма эффективно и может привести к стократному уменьшению выхода обратно рассеянных частиц. В этой главе мы опишем каналирование ионов высоких энергий в монокристаллах и покажем, как с помощью этого явления можно улучшить «разрешение по глубине» методов ионного рассеяния и повысить их чувствительность к незначительным содержаниям примеси. Сочетание обратного резерфордовского рассеяния и каналирования играет важную роль при решении многих задач анализа тонких пленок и монокристаллов. Заметим, что монокристаллы нашли широкое применение в современной технологии, поскольку все основные компоненты электронных схем содержат полупроводниковые монокристаллы.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление