Главная > Физика > Основы анализа поверхности и тонких пленок
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Задачи

5.1. Вычислить и сравнить значения «стандартного» потенциала, потенциала Томаса — Ферми и потенциала при и 1,0 для случая падения ионов Не на .

5.2. Медь обладает кубической гранецентрированной решеткой с периодом 3,615 А. Вычислить критические углы и минимальный выход рассеяния ионов с энергией 2 МэВ при аксиальном каналировании вдоль оси (100) и при плоскостном каналиро-вании вдоль плоскости (100) в для амплитуды тепловых колебаний .

5.3. Вычислить радиус конуса тени и амплитуду поверхностного пика в двухатомной и «универсальной» моделях (считая ) для каналирования ионов с энергией 1,0 МэВ вдоль оси (100) в (постоянная решетки равна ). Какая энергия соответствует единичной интенсивности поверхностного пика

5.4. Пользуясь аппроксимацией (5.20) для функции распределения потока, найти минимальный выход рассеяния на атоме примеси, расположенном на расстоянии 0,1, 0,3 и 0,5 А от атомной цепочки. Амплитуду тепловых колебаний положить равной 0,1 А, значение взять соответствующим каналированию вдоль оси (100) в кремнии.

5.5. Каналирование может иметь место не только вдоль атомных цепочек, но и между слоями атомов, образующими атомные плоскости. В этом случае потенциал поперечного движения может быть описан параболой в виде

где — расстояние между плоскостями, у — расстояние, отсчитываемое от середины канала. Пользуясь понятием движения в гармоническом потенциале, вывести формулу для длины волны осцилляций. Вычислить значение этой длины волны для плоскостного каналирования ионов с энергией 1,0 МэВ в W (100). «Коэффициент упругости» к можно оценить, заметив, что из (5.13) следует .

Литература

1. Andirson J. U., Andreason О., Davies J.A., Uqgeroj E., Radiation Effects, 7, 25 (1971).

2. Appelton B.R., Foti G., Channeling, in: Ion Beam Handbook for Material Analysis, J.W.Mayer and E.Rimini, eds., Academic Press, New York, 1977.

3. Chu W.K., Mayer W., Nicolet M.-A., Backscattering Spectrometry, Academic Press, New York, 1978.

4. Dearnaley G., Freeman J.H., Nelson R.S., Stephen J., Ion Implantation, North-Holland, Amsterdam, 1973.

5. Feldman L.C., Mayer J. W., Picraux S. T., Materials Analysis by Ion Channeling, Academic Press, New York, 1982.

6. Gemmell D.S., Channeling and Related Effects in the Motion of Charged Particles Through Crystals, Rev. Mod. Phys., 46 (1), 129-227 (1974).

7. LindhardJ., Mat. Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk., 34 (14), 1 (1965). [Имеется перевод: Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. — УФН, 99 (2), 249 (1969).]

8. Channeling, D.V.Morgan, ed., John Wiley and Sons, New York, 1973.

9. Nelson R.S., The Observation of Atomic Collisions in Crystalline Solids, North-Holland, Amsterdam, 1968.

10. Townsend P.D., Kelly J.C., Hartley N.E. W., Ion Implantation, Sputtering and Their Applications, Academic Press, New York, 1976.

11. Culbertson R.J., Feldman L.C., Silverman P.J., Phys. Rev. Lett., 47, 657 (1981).

12. Kuk Y., Feldman L.C., Silverman P.J., J. Vac. Sci. Technol., Al, 1060 (1983).

13. Feldman L.C., Stensgaard I., Silverman P.J., Jackman Т.Е., in: Proceedings of the International Conference on Physics of Si02 and Its Interfaces, S.T.Pantelides, ed., Pergamon Press Oxford, 1978.

14. Иферов Г.A., Похил Г.П., Тулинов А.Ф. — Письма в ЖЭТФ, 5, 250 (1967).

15. Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. — Минск: Изд. БГУ, 1987.

16. Шипатов Э.Т. Каналирование ионов. — Ростов: Изд. РГУ, 1986.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление