Главная > Физика > Лекции по квантовой электронике
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Лекция двадцать третья. ЛАЗЕРЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ

F-центры. Методы окрашивания кристаллов. Анионные вакансии в ЩГК. -центры. Спектры поглощения и люминесценции. Цикл оптической накачки. Параметры лазеров. Вибронные и бесфононные переходы. Ион хрома. Лазер на александрите.

Широкая линия люминесценции органических красителей обусловливает возможность плавной и широкополосной перестройки длины волны излучения соответствующих лазеров. Простота осуществления спектральной перестройки генерируемого излучения является основным достоинством растворов красителей как рабочего вещества лазеров. К сожалению, отсутствуют красители, люминесцирующие в ИК области при длинах воли, превышающих 1,0-1,5 мкм. Поэтому большое значение имеет возможность применения ионных кристаллов с центрами окраски в качестве рабочей среды перестраиваемых лазеров.

Люминесценция центров окраски (-центров) в значительной мере подобна люминесценции красителей. Именно это обстоятельство объясняет близость терминов, используемых для описания столь различных по своей природе объектов, как -центры в кристаллах и органические красители.

Спектр люминесценции центров окраски во многих случаях сдвинут в более длинноволновую область по сравнению со случаем органических красителей. Это позволяет надеяться на расширение области перестраиваемой генерации до 3,0-3,5 мкм.

Остановимся несколько подробнее на структуре и оптических свойствах -центров в ионных кристаллах. Во многих случаях запрещенная зона ионных кристаллов достаточно широка для того, чтобы эти кристаллы были диэлектриками, прозрачными во всей видимой области спектра. Примеры хорошо известны. Это — щелочно-галоидные кристаллы (ЩГК) и т. п., щелочно-земельные фториды со структурой флюорита и т. п., рорунд и т. д. Возникновение в решетке кристалла дефектов может приводить к появлению в запрещенной зоне добавочных уровней и, следовательно, к появлепию в спектре поглощения кристалла добавочных полос поглощения, характерных как для кристалла, так и для типа дефекта. Если та или иная полоса поглощения попадает в область видимого света, возникает видимая окраска до того бесцветного кристалла.

Спектральные особенности характерных полос поглощения не зависят от того, каким именно способом они получены, так как соответствующие им центры окраски создаются на базе Собственных точечных дефектов кристалла. Комплексы точечных дефектов, обладающих собственной частотой поглощения, образуют обширный класс объектов, которые принято называть общим термином F-центры. При этом следует помнить, что -центры

или, иначе говоря, собственные центры окраски в ионных кристаллах представляют собой лишь один из видов дефектов кристаллической структуры.

В кристаллографии известны многие виды дефектов кристаллической структуры, т. е. отклонений в строении реальных кристаллов от идеальной структуры. Точечным дефектом является такое нарушение кристаллической структуры, размеры которого во всех трех измерениях сравнимы с характерным межатомным расстоянием в структуре. К числу простейших точечных дефектов относится вакансия — отсутствие атома или иона в узле кристаллической решетки. В ионных кристаллах анионная вакансия, т. е. точечный дефект отсутствия отрицательного иона в соответствующем узле кристаллической решетки, действует как некоторый локальный эффективный положительный заряд. Свободный электрон, оказавшийся вблизи вакансии, фиксируется ее полем на месте отсутствующего аниона. В ЩГК электрон, локализованный в области галоидной (анионной) вакансии кристаллической решетки, образует простейший из центров окраски — собственно F-центр. На рис. 23.1 показаны схема и модель -центра в ЩГК. Такое строение F-нентра позволяет рассматривать его как водородоподобиый атом, что достаточно хорошо описывает спектральные свойства этого центре окраски.

Рис. 23.1. Схема (а) и модель (б) F-центра в ЩГК.

Основные способы создания центров окраски в ЩГК — фотохимическое, аддитивное и электронно-лучевое окрашивание.

При фотохимическом (радиационном) окрашивании -центры образуются при облучении кристалла УФ, рентгеновским или гамма-излучением. При этом ион галогена, находящийся в узле решетки, поглощая квант облучения и теряя электрон, превращается в нейтральный атом и переходит в междоузлие, создавая анионную вакансию. Освободившийся электрон захватывается вакансией и образует F-центр. Созданные указанным образом -центры характеризуются низкой термической и оптической стабильностью. Окрашенные кристаллы легко обесцвечиваются при поглощении света в характерной F-полосе даже при низких температурах, равно как и при нагреве. Причина нестабильности заключена в том, что при нагревании кристаллов или возбуждении F-центров в основной полосе поглощения электроны покидают вакансии и рекомбинируют с вытесненными в междоузлие атомами галогена, которые являются дырочными центрами с сильным сродством к электрону или, иными словами, являются более глубокой электронной ловушкой.

При аддитивном окрашивании -центры образуются при прогревании образца в парах щелочного металла. Например, бесцветные кристаллы в парах натрия приобретают ярко-синюю окраску. При нагревании щелочной металл легко иони- зуется, и освободившийся электрон диффундирует внутрь кристалла. При охлаждении нагретого кристалла блуждающие по нему электроны локализуются на анионных вакансиях с образованием -центров.

Вакансии существуют в кристаллах любой структуры и при любой температуре. В равновесных условиях в кристаллах стехиометрического состава относительное число, точечных дефектов оценивается соотношением , где Е — энергия активации (образования) дефекта. Обычно энергия активации вакансии составляет величину порядка 1 эВ, поэтому вплоть до температур плавления кристаллов относительная плотность равновесных вакансий не превышает . В случае ионных кристаллов при образовании точечных дефектов должно соблюдаться условие электронейтральности кристалла в целом. Поэтому дефекты рождаются парами — либо вакансия и соответствующий ей междоузелышй ион (такое образование называется дефектом Френкеля), либо две вакансии противоположного знака (дефект Шоттки). Для оценки равновесной концентрации таких пар применима та же формула, где под Е надо понимать энергию образования пары.

Рис. 23.2. Схема F-центра в ЩГК.

При нагреве в парах щелочного металла междоузельные анионы связываются ионами металла. Поэтому рекомбинационные партнеры удаляются из кристалла, и необратимая рекомбинация электронов. F-центра с дырочными центрами в аддитивно-окрашенных кристаллах отсутствует. Соответствующие -центры стабильны.

При электронно-лучевом окрашивании F-центры образуются при бомбардировке кристалла электронами высокой энергии, которые довольно глубоко проникают внутрь кристалла и захватываются анионными вакансиями.

Элементарные образования «электрон — вакансия» обладают склонностью к агрегации и образованию парных центров и центров окраски более высокого порядка, которые охватывают несколько узлов кристаллической решетки. Центры окраски такого типа в настоящее время обозначаются символами и т. д. Структура -центра, т. е. ассоциации двух -центров, находящихся в соседних анионных узлах, подобна квазимолекуле водорода. Соответствующая схема приведена на рис. 23.2.

В ЩГК ассоциации F-центров образуются в небольшом количестве наряду с одиночными F-центрами при сильном аддитивном и радиационном окрашивании, особенно при окрашивании

ионизирующей радиацией. Образованию ассоциированных -центров способствует повышение температуры кристалла, которое увеличивает скорость миграции вакансий по решетке. Заметим, что разрушение -центров светом в области собственного поглощения -полосы приводит к фотохимическому преобразованию -центров в и т. д. центры. Вообще же, при окрашивании обычно образуется набор нескольких типов центров окраски.

Для получения центров нужного типа требуется дополнительная, иногда довольно сложная, фотохимическая и термическая обработка. Так, значительный интерес представляют такие разновидности -центров, как и -центры. -центр, захвативший дополнительный электрон, образует -центр окраски, -центр представляет собой ионизованный центр окраски, т. е. один электрон, удерживаемый двумя соседними анионными вакансиями. Получение и -центров требует проведения поэтапной обработки кристаллов с целью преимущественного создания -ров, а затем их ионизации или, наоборот, формирования условий, благоприятных для электронного прилипания. Используемые для этого приемы включают в себя рентгеновское или электронно-лучевое облучение при гелиевой температуре, облучение УФ. излучением ближней или вакуумной области спектра, облучение в полосе поглощения -центров и т. п. Таким образом удается создать высокую (до ) концентрацию центров требуемого типа.

Рис. 23-3. Спектры: а) центров окраски в , б) -центров в -центров в .

Возбужденные состояния центров окраски обладают энергией в 1,5 — 3 эВ (видимый спектр). Как уже отмечалось, полосы поглощения при переходах в эти состояния приводят к окраске кристаллов, специфичной для каждого типа центра. При возбуждении в области полос поглощения центры окраски демонстрируют интенсивную люминесценцию в ближней ИК области, обладающую широкими спектральными полосами и временем жизни 1—1000 нс. На рис. 23.3 показаны спектр поглощения электронных центров окраски в , спектр поглощения и люминесценции F-центров в (б) и -центров в (в). Как мы видим, адсорбционно-люмииесцентные спектры

центров окраски сильно напоминают спектры органических красителей. Сходство особенно заметно в случае - и -центров. Здесь уместно обсудить вопрос о ширине спектров поглощения и люминесценции центров окраски, заметно превышающей . Находясь в узлах кристаллической решетки, центры окраски подвергаются сильному влиянию внутрикристаллического поля. В отличие от примерных редкоземельных ионов, -оболочка которых экранирована и влияние кристаллического поля на которые ослаблено (см. лекции двадцатую и двадцать первую), центры окраски непосредственно связаны с решеткой. Это приводит к тому, что даже простейший из них, собственно F-центр. с точки зрения релаксационных характеристик и спектральной ширины полое поглощения и излучения не может рассматриваться как свободный квазиатом водорода (соответственно, -центр — как свободная квазимолекула водорода). Такое приближение, позволяющее применять к F-центру (-центру) правила отбора, известные для атома (молекулы) водорода, и производить отнесение состояний, дает возможность только сравнительно хорошо оценивать силу осцилляторов возможных переходов.

Рис. 23.4. Конфигурационная диаграмма (а) и схема уровней энергии (б) F-центра.

Вместе с тем нельзя забывать, что со сторояы ионов ближайшего окружения (см. рис. 23.1 и 23.2) на электрон, локализованный в области анионной вакансии, воздействуют квазиупругие силы. Наличие этих сил приводит к появлению у -центра колебательных степеней свободы. В результате электронные уровни энергии центра окраски осложняются системой колебательных подуровней, что делает спектр полосатым. Колебательное движение -центра в твердом теле носит сложный характер. Большое число колебательных степеней свободы приводит к тому, что цотенциальная энергия какого-то одного электронно-колебательного состояния является функцией многих координат. Поэтому, как и в случае больших молекул органических красителей, для схематического описания оказывается удобным упрощенное представление в условном конфигурационном пространстве, когда вся совокупность конфигурационных координат заменяется одной условной координатой.

На рис. 23.4 приведена упрощенная конфигурационная диаграмма F-центра. Колебательные состояния, заполняющие потенциальные ямы термов основного и возбужденного электронных:

состояний, по отношению к релаксации на фононах имеют время жизни порядка 1 не и перекрываются. В результате возникают широкие сплошные полосы на электронных переходах поглощения и люминесценции, показанные на рис. 23.3. Этим и объясняется подобие спектрам поглощения и люминесценции молекул органических красителей в растворах (см. предыдущую лекцию). Заметим, что время колебательной релаксации 1-10 нс является характерным для релаксационных процессов в конденсированной среде при сильной связи релаксирующего состояния с его окружением.

Конфигурационная диаграмма, изображенная на рис. 23.4, иллюстрирует принцип действия лазера на центрах окраски. Цикл оптической накачки полностью подобен таковому для случая лазеров на красителях. Это утверяедение справедливо и для возможности перестройки частоты излучения.

Под действием излучения накачки осуществляется переход из состояния 1 в состояние 2. Для -центра этот переход является переходом между состояниями водородоподобного атома, которому соответствует наибольшая вероятность и с которым связывается возникновение -полосы поглощения. Затем в системе колебательных уровней возбужденного электронного состояния происходит безызлучательный переход в так называемое релаксированное возбужденное состояние 3. Переход центра окраски из возбужденного электронного состояния в основное 3 4 сопровождается люминесценцией. Завершается цикл накачки быстрым безызлучательным переходом Таким образом, рассматриваемый процесс носит четырехуровневый характер. Инверсия достигается на переходе что обусловлено соотношением времен яшзпи уровней 2, 3 и 4. Колебательная релаксация состояний 2 и 4 происходит за в то время как время яшзни состояния 3 по отношению к люминесценции на переходе 3 4 составляет 10 не. Следовательно, при не слишком интенсивной накачке на переходе возможно достижение инверсии населенностей на переходе .

Итак, центры окраски в ионных кристаллах представляют собой перспективную рабочую среду перестраиваемых лазеров, что обусловлено возможностью организации четырехуровневого режима возбуждения, широкополосностью спектров поглощения и люминесценции, значительным стоксовым сдвигом в излучении, большими силами осцилляторов и высокой концентрацией центров . Теоретический анализ условий достижения ипверсии, режимов работы и паразитных эффектов в перестраиваемых лазерах на центрах окраски аналогичен анализу, развитому при рассмотрении лазеров на органических красителях.

Собственно -центры не являются наилучшими из активных центров в лазерах рассматриваемого типа. Во-первых, для -центров существенны потери, эквивалентные и -поглощению в органических красителях. Во-вторых, в силу излишне

большого стоксова сдвига волновая функция релаксированного возбужденного состояния 3 слабо перекрывается с волновой функцией нерелаксированного основного состояния 4, и поэтому сила осциллятора перехода мала (0,01). Наконец, -центры недостаточно стабильны как термически, так и по отношению к облучению в -полосе.

Наилучшие результаты достигаются с помощью а также и -центров окраски. Последние представляют собой -центры, один (в случае ) или два (в случае ) из катионов ближайшего окружения анионной вакансии которых заменены катионами гомологического ряда щелочных металлов и т. д.), но так, что ионный радиус примеси меньше ионного радиуса катиона основы ЩГК. Эти центры, отличающиеся высокой термической и оптической стабильностью, образуются при аддитивном окрашивании ЩГК и дополнительном облучении в -полосе поглощения первично полученных -центров при соответствующим образом подобранной температуре. Центры этого типа не могут быть созданы в кристаллах . На основе кристаллов фторида лития наилучшие результаты получены в лазерах непрерывного и импульсного действия на -центрах в диапазоне длин воли перестройки 0,8-1,1 мкм и на центрах в диапазоне 1,1-1,3 мкм. Используется, главным образом, лазерная накачка. Коэффициенты полезного действия достигают десятков процентов. Выходная мощность в непрерывном режиме составляет , энергия импульсной генерации достигает десятков миллидягоулей. Как и в случае лазеров на красителях, при реализации режима синхронизации мод получена пикосекундная генерация с перестройкой во всей полосе усиления.

В кристаллах наиболее эффективны и -центры, обеспечивающие области перестройки 2,25-2,90 мкм и 2,25-3,30 мкм.

Спектр люминесценции известных центров окраски ЩГК перекрывает диапазон 0,6-4,0 мкм. С помощью лазеров на их основе освоены диапазоны плавной перестройки мкм. Центров окраски разного типа много; их выбор, подобно выбору красителей, должен производиться по их генерационным и эксплуатационным характеристикам в соответствии с требуемым диапазоном длин волн. Отметим здесь возможность создания лазеров на центрах окраски не только ЩГК, но и фторидов щелочно-земельных металлов, например флюорита .

Общим для лазеров на конденсированных средах является примесный характер их активных центров, погруженных в некоторую матрицу — кристалл, стекло, яшдкость. Важное значение для всех этих лазеров имеет четырехуровневый характер цикла оптической накачки, существенную роль играют спектр колебаний (фононный спектр) матрицы и степень экранированности

электронного движения в активном центре, квантование которого дает используемые в лазере энергетические состояния. Последнее оказывает существенное влияние на характеристики соответствующих лазеров, резко различные в случаях слабой и сильной связи электронного движения с колебательным.

Действительно, в случае -оболочка, содержащая оптический электрон, сильно экранирована, а связь с кристаллическим полем слаба. Следовательно, слаба и связь с колебаниями решетки. В силу слабой вибронной связи времена жизни возбужденных состояний велики, линии узки, стоксов сдвиг в люминесценции отсутствует (см. лекцию двадцать первую). Четырехуровневый характер цикла оптической накачки обеспечивается системой уровней свободного иона, положение которых мало меняется при переходе от матрицы к матрице.

В случае центров окраски и молекул красителей на электронное движепие непосредственно воздействует поле ближайшего окружения. Следовательно, связь с колебаниями решетки, стекла, растворителя является сильной. В силу сильной связи с колебаниями конденсированной среды времена жизни возбужденных состояний малы, липин широки, стоксов сдвиг в люминесценции значителен. Четырехуровневый характер цикла оптической накачки обеспечивается быстрой релаксацией по колебательным подуровням электронных состояний, сильно связанных с колебаниями, и выполнением принципа Франка — Кондона для переходов между электронными термами.

Иоиы переходных металлов группы железа — первой по порядку возрастания атомного номера элемента переходной группы в таблице Менделеева — содержат в незаполненных оболочках неэкранируемые -электроны (см. лекцию девятнадцатую). Следовательно, при внедрении в кристаллическую матрицу эти ионы могут испытывать заметное влияние кристаллического поля и тем самым колебаний решетки. В результате в спектре электронных переходов иона возникает колебательная структура. Переходы становятся электронно-колебательными, при которых одновременно изменяется не только электронная энергия примесного иона, но и энергия колебательных мод кристалла. В спектрах люминесценции таких кристаллов при не слишком сильной вибронной связи проявляются как узкие линии, соответствующие чисто электронным переходам, так и широкие полосы, соответствующие вибронной структуре спектра состояний примесного центра и обусловленные наличием электрон-фононной связи.

Интенсивность и форма вибронных полос определяется характером и силой электрон-фононной связи, или, иначе говоря, индивидуальными свойствами электронного состояния примесного центра и силой симметрией внутрикристаллического поля, а таюке фононным спектром матрицы. Широкие полосы электрон-фононных переходов демонстрируют заметный стоксов сдвиг по отношению к узким линиям чисто электронных переходов. В этой

ситуации возникает возможность создания четырехуровневого лазера на вибронных переходах в широкой полосе частот.

Действительно, такие лазеры с достаточно широкой областью перестройки в ближнем ИК диапазоне были реализованы на ионах принадлежащих группе железа, в матрицах . К сожалению, эти лазеры работают при низких (азотных) температурах, и упоминание о них в нашем курсе было бы нецелесообразным, если бы не был открыт лазер на александрите, т. е. на хромовом хризоберилле , работающий при комнатных и более высоких температурах.

Принадлежащие той же группе железа ионы хрома хорошо известны как примесные центры активных сред твердотельных лазеров. Достаточно напомнить, что впервые лазерное излучение было получено на кристаллах рубина, т. е. хромового корунда (сапфира) . Генерация в рубиновом лазере осуществляется, как известно, при комнатной температуре по трехуровневой схеме на бесфононной линии, соответствующей переходу между возбужденным метастабильным состоянием и основным состоянием (см. рис. 20.2). При 77 К была также получена генерация на этом же переходе на кристаллах граната . Таким образом, александрит — это третий кристалл вслед за рубином и гранатом, где работают ионы хрома, причем, в отличие от первых двух, по четырехуровневой схеме.

Опишем особенности александритового лазера.

Кристалл хризоберилла орторомбичен. Ионы занимают два неэквивалентных октаэдрических положения, одно с зеркальной, другое с инверсионной симметрией. Полная плотность октаэдрических положений составляет . Подобно тому как рубин — это -корунд часть ионов которого изоморфно замещена ионами так и александрит — это хризоберилл часть ионов которого изоморфно замещена ионами .

Александрит является высокотемпературным (температура плавления , плотным (3,69 г/см3) и прочным кристаллом. Его теплопроводность в два раза превышает теплопроводность граната и только вдвое меньше, чем у сапфира. Он почти изотропно и умеренно расширяется с температурой. Механические и тепловые свойства кристалла хорошо удовлетворяют лазерным требованиям. Его оптические свойства также удовлетворительны. Кристаллы александрита обладают отличным оптическим качеством вплоть до концентрации ионов хрома по отношению к концентрации . Оптические потери в области частот генерации составляют . Оптическая прочность александрита такая же, как у рубина. Александрит является двухосным кристаллом с показателем преломления около 1,75. Кристаллы длиной в несколько сантиметров выращиваются методом Чохральского (вытягиванием из расплава). Серьезным недостатком александрита является сложность технологического

процесса его приготовления, связанная с наличием бериллия и его окисла, являющихся вредными веществами.

Как в рубине и в гранате, ионы хрома в александрите находятся в октаэдрическом кристаллическом окружении, и отнесение линий спектра их поглощения и люминесценции хорошо известно. В люминесценции характерны две хорошо выделенные -линии и широкие полосы и . Сила и относительное положение этих переходов меняются от основы к основе в силу уже неоднократно обсуждавшейся незаэкранированности -электронов иона хрома. На рис. 23.5 приведен спектр люминесценции александрита. Обращает на себя внимание наличие наряду с широкой полосой узкой линии, что отличает этот спектр и ему подобные спектры ионов переходных металлов от спектров люминесценции центров окраски и органических красителей.

Рис. 23.5. Спектр люминесценции александрита.

Рис. 23.6. Схема уровней иона хрома в александрите.

Широкая полоса люминесценции соответствует вибронным переходам. Излучение люминесценции линейно поляризовано, вектор Е параллелен оси b кристалла. Спектр поглощения одинаков для обеих поляризаций и перекрывает весь видимый диапазон. Из двух неэквивалентных положений в решетке за излучение в вибронной полосе ответственно положение с зеркальной симметрией.

На рис. 23.6 приведена схема уровней, точнее, конфигурационная диаграмма ионов хрома в александрите. Широкополосная люминесценция и перестраиваемая генерация обязаны электронно-колебательному переходу . Видно, что четырехуровневый характер цикла оптической накачки обусловлен наличием стоксова сдвига терма Отличительной особенностью кристаллов александрита является существенно меньшая по сравнению с рубином и гранатом энергетическая щель между состояниями составляющая Время термализации внутри этих состояний вееьма мало (около ), а их собственные времена жизни как целого составляют . Большое время жизни состояния способствует накоплению частиц в системе верхних лазерных уровней, а малое время жизни

состояния и, следовательно, большое значение сечения перехода обеспечивает большой коэффициент усиления по вибронным переходам. Специфическое для александрита взаимное расположение термов приводит к росту усиления в вибронном спектре с температурой из-за вызванного нагревом увеличения населенности состояния по отношению к более низколежащему метастабильному состоянию , которое накапливает частицы в процессе оптической накачки.

Таким образом, электронно-фононный александритовый лазер может быть описан моделью, представленной на рис. 23.7. На этом рисунке стартовым лазерным уровнем служит мультиплет подпитываемый частицами с накопительного уровня . Финишным уровнем служит один из уровней эквивалентной колебательной полосы, соответствующей диапазону перестройки. Выбор финишного уровня в пределах этой полосы осуществляется селективным устройством настройки лазера, как и в случае лазеров на красителях. Фононная релаксация финишного уровня в основное состояние происходит, как это уже отмечалось, за время . Еще раз отметим, что при оптической накачке возбужденные частицы накапливаются на метастабильном уровне характерном для ионов и тепловым возбуждением через энергетический зазор в забрасываются на уровень . Подчеркнем, что такая своеобразная структура верхнего лазерного состояния и накопление энергии в нем позволяют осуществить режим включаемой (модулированной) добротности и генерации гигантских импульсов, не реализуемый в случае красителей из-за малого времени жизни.

Рис. 23.7. К модели алексаидритового лазера: 1 — стартовый уровень, 2 — финишный уровень лазерного перехода .

Область перестройки алексаидритового лазера заключена в пределах 700—820 нм. Красная граница довольно резка и определяется поглощением из возбужденных состояний, аналогичным синглет-синглетному и триплет-триплетному поглощениям в органических красителях. Синий край области перестройки ограничен -линией (681 нм) и провалом в спектре люминесценции, возникающим при подходе к -линии со стороны длинных волн. В области перестройки сечение усиления составляет при 300 К и возрастает до при 475 К.

Энергетические характеристики лазера весьма привлекательны. При накачке ксеноновой лампой-вспышкой стержень диаметром 6 мм и длиной 75 мм в режиме одиночных импульсов излучает энергию 5—10 Дж, в импульсно-периодическом режиме с частотой следования 5—100 Гц средняя мощность составляет

35-70 Вт. В режиме включаемой добротности получены гигантские импульсы длительности 30—200 нс, перестраиваемые по длине волны излучения во всей полосе перестройки 700—820 нм.

Александритовый лазер продемонстрировал богатые возможности иона , которые отнюдь не были исчерпаны в рубиновом лазере. Так как энергия состояния сильно зависит от основы, в которую введен ион хрома, следует ожидать, что спектроскопическая ситуация, аналогичная случаю александрита, может иметь место и в других матрицах, что также может привести к низкопороговой генерации по четырехуровневой схеме с перестройкой частоты излучения в широкой спектральной области.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление